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  • MOS管/IGBT模块

STL90N6F7

 

产品说明 规格参数

      型号:STL90N6F7

      品牌:ST

      封装:PowerFLATTM 5x6

      包装:3000pcs/盘

      通道类型:N

      最大连续漏极电流:90 A

      最大漏源电压:60 V

      最大漏源电阻值:5.4 mΩ

      最大栅源电压:±20 V

      封装类型:PowerFLAT

      安装类型:表面贴装

      引脚数目:8

      晶体管配置:单

      通道模式:增强

      类别:功率 MOSFET

      最大功率耗散:94 W

      尺寸:5.4 x 6.35 x 0.95mm

      长度:5.4mm

      晶体管材料:Si

      每片芯片元件数目:1

      典型接通延迟时间:15 ns

      典型栅极电荷@Vgs:25 nC @ 10 V

      典型输入电容值@Vds:1600 pF @ 25 V

      最高工作温度:+175 °C

      典型关断延迟时间:24.4 ns

      正向二极管电压:1.2V

      系列:STripFET F7

      高度:0.95mm

      宽度:6.35mm

    型号:STL90N6F7

    品牌:ST

    封装:PowerFLATTM 5x6

    包装:3000pcs/盘

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